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Fotodetector de InGaAs de alta velocidad LK-HHPD
- Amplio ancho de banda, alta velocidad
- Alta capacidad de respuesta
- Bias-T incorporado
- Entrada de alta saturación
- Conector SMA herméticamente sellado
- Baja corriente oscura, alta relación señal-ruido.
- Factor de forma pequeño.
Descripción del producto
El LK-HHPD es un módulo detector de alta velocidad, apto para aplicaciones digitales y analógicas, con un fotodiodo PIN de InGaAs que cubre longitudes de onda de 1250 a 1650 nm. Ofrece anchos de banda de 12 GHz o 18 GHz y funciona con +5 V. El módulo es compatible con fibra monomodo estándar de 9/125 μm y cuenta con un conector SMA para salida de RF con adaptación de impedancia de 50 ohmios.
El LK-HHPD, ideal para aplicaciones de alta velocidad de datos, está herméticamente sellado para protegerlo de factores ambientales, garantizando así su fiabilidad y longevidad. Su diseño ligero, con un peso inferior a 23 gramos, resulta ideal para aplicaciones portátiles o con espacio limitado. El módulo está certificado conforme a la Directiva 2.0 sobre Restricción de Sustancias Peligrosas (RoHS), lo que demuestra su cumplimiento de las normas ambientales y de seguridad.
Especificaciones técnicas
| Clasificación máxima absoluta y típica | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parámetro | Sim. | Tipo | Valoración | Unidad |
| Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -45 ～ +85 | -55 ～ +100 | ℃ |
| Rango de temperatura de funcionamiento de la caja | TC | 25 | -40 ～ +85 | ℃ |
| Tensión de polarización | VR | 5 | +4.75 ～ +5.25 | V |
| Potencia de entrada óptica | Pin | 0 | +13 | dBm |
| Potencia óptica quemada | PB | - | +16 | dBm |
| Temperatura de soldadura de plomo | Tp | 280（10s） | 330（10s） | ℃ |
| Características eléctricas/ópticas ( TC = 22 ± 3℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Parámetro | Sym | Condición de prueba | Valores paramétricos | Unidad | ||
| Rango de onda | λ | - | 1000 ～ 1650 | nm | ||
| Rango de frecuencia | - | - | Banda X | Banda Ku | - | |
| Ancho de banda de señal pequeña | f-3dB | TC = 22 ± 3 ℃ | 0.3 ～ 12 | 0.8 ～ 18 | GHz. | |
| Receptividad | Re | VR =+5 V, Pin = 10 mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.75 | ≥ 0.75 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.7 | ≥ 0.7 | ||||
| Salida VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | ≤ 2.2 | - | |
| Planitud de amplitud | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ±1.5 | dB | ||
| Potencia óptica de saturación | Ps | VR =+5 V, λ = 1550 nm Modulado por CA |
13 | dBm | ||
| Potencia de salida de RF de saturación | Pout | - | -10 | dBm | ||
| Corriente oscura | Id | VR = 5 V | ≤ 10 | nA | ||
| Impedancia de salida | RL | - | 50 | Ω | ||
● Curvas de respuesta típicas
（ Fig. 1 Respuesta de frecuencia del fotodetector de banda X）
(Fig. 2 Respuesta de frecuencia del fotodetector de banda Ku)
● Dimensión y pines (Unidad: pulgadas)
Conector RF: Conector SMA
●Información sobre pedidos
Hoja 1:
| Código | Ancho de banda analógico |
| X | 0.3 ～ 12 GHz |
| Ku | 0.8 ～ 18 GHz |
Hoja 2:
| Código | Tipo de conector | Observación |
| N | Sin conector | Pigtail de fibra monomodo de 9/125 μm |
| A | FC/APC |
● Precauciones
El radio de curvatura de la fibra no debe ser inferior a 20 mm para evitar que se dañe.
Asegúrese de que la faceta de acoplamiento de fibra esté limpia antes de conectarla al optocircuito.
Se requiere una protección ESD adecuada durante el almacenamiento, transporte y uso.
¡Todos nuestros fotodetectores estándar se pueden personalizar en módulos!
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